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海力士开发出全球首款第六代纳米级

昊尊 2024-08-29 【艺术】 353人已围观

摘要IT之家8月29日消息，SK海力士今日宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，海力士开发出全球首款第六代纳米级率先突破了技术极限。公司将在年内完成1cDDR5DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体

IT之家8月29日消息，SK海力士今日宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。

SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，海力士开发出全球首款第六代纳米级率先突破了技术极限。公司将在年内完成1cDDR5DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

SK海力士以1bDRAM平台扩展的方式开发了1c工艺。SK海力士技术团队认为，由此不仅可以减少工艺高度化过程中可能发生的尝试错误，还可以最有效地将业界内以最高性能DRAM受到认可的SK海力士1b工艺优势转移到1c工艺。

而且，SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。

据IT之家了解，此次1cDDR5DRAM将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%。另外，能效也提高了9%以上。随着AI时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将SK海力士1cDRAM采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少30%。

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